連續(xù)加料直拉單晶爐 CCz
主要技術指標
1、整機尺寸:(LWH)2000X2300X10800m;
2、主腔室內(nèi)徑1400mm,副爐室內(nèi)徑350mm;兼容24~34英寸RCz和32~34英寸CCz熱。衫10英寸以下直徑的晶體;
3、加熱方式:電阻加熱,DC電源Pmax=150:50Kw,頻率50Hz;
數(shù)控滾磨機 LQ003PF
主要技術指標
1、加工晶棒直徑:4~8英寸
2、加工晶棒長度:≤400mm
3、橢圓度:≤0.05mm
數(shù)控平面磨床 LQ016/LQ018
設備優(yōu)勢
主要部件均采用知名品牌,穩(wěn)定性高,耐用性強。
采用精度P3級滾珠絲桿傳動,精度高。
鑄件采用高等級灰口鑄鐵,具有更好的抗彎及抗扭應力。
可選配三級過濾水箱或紙帶式過濾器,保持切削液清潔,提高加工性能及刀具壽命,減少環(huán)境污染。
硬軌全人工刮研,導軌貼合面采用貼塑處理,降低阻尼系數(shù),提高機床精度。
可選配常規(guī)、密集型以及一體式電磁吸盤,通用性強。
碳化硅感應生長爐
設計優(yōu)點
1、滿足6吋/8吋晶體生長;
2、一鍵智能啟動,減少人工干預,利于規(guī)模化生產(chǎn);
3、PVT-MF-50型碳化硅感應式長晶爐適用于生長高質(zhì)量六吋碳化硅單晶、高純度碳化硅原料合成、晶體退火等領域。
碳化硅電阻式長晶爐
設計優(yōu)點
1、結構緊湊,可采用并排布局,提高廠房利用率;
2、滿足6-8寸半絕緣/導電晶體生長需求;
3、PVT-RS-40型碳化硅電阻式長晶爐適用于生長高質(zhì)量6-8吋碳化硅單晶、高純度碳化硅原料合成、晶體退火等領域。
碳化硅金剛線截斷機 LQJD3010
設計優(yōu)點
1、設備可以使用30m/s的高線速度穩(wěn)定切割,切割效率高,產(chǎn)出比高;
2、設備可以自行選擇旋轉(zhuǎn)、線搖擺和料搖擺加工方式,更好的實現(xiàn)工藝的多種需求;
3、設備的加工精度高,截斷樣片的TTV均值30μm以內(nèi),遠超同行業(yè)水平;
4、設備可以穩(wěn)定使用0.18mm金剛線,張力控制精準,細線化在料損上控制非常優(yōu)秀;
5、設備使用匯川最高級別的IS810系列控制器,配置高精度伺服電機13個;
6、收放線系統(tǒng)排布在設備左右兩側(cè),有效降低振動產(chǎn)生的影響,大幅度提升加工精度;
退火爐 VAF600
設計優(yōu)點
1、設備結構緊湊;
2、采用環(huán)狀加熱結構,爐體溫度均勻性好;
3、自動調(diào)節(jié)溫度;
4、精確真空控制;
5、產(chǎn)品兼容范圍大,根據(jù)產(chǎn)品尺寸更換載具就可輕易實現(xiàn)換型。