高速高質
采用TCS為硅源可實現高達60um/h的高質量快速外延。
均勻高產
可以產出摻雜均勻性小于5%,厚度均勻性小于2%,DIE良率大于95%的優質外延片產品。
穩定行高
水平式設備相比于垂直式設備造價更低,同時兼備氣體流量輸入穩定、PM性能優良等特點。
| 型號 | EPI-MF-8 |
| 產品規格 | 兼容6-8英寸碳化硅等襯底氣相沉積 |
| 具備工藝 | 具備 N 型和 P 型摻雜工藝,摻雜源可選擇性配置 |
| 控溫范圍 | ≤1700℃ |
| 控溫精度 | ±0.5℃ |
| 高溫傳片溫度 | 900℃ |
上一頁
下一頁
上一頁
下一頁
Copyright©2024
美國z6com·尊龍
11
美國z6com·尊龍