PVT-RS-35(A/D)
碳化硅雙加熱器電阻式長晶爐
用于6/8/12英寸導電和高純半絕緣型SiC晶體生長，多加熱器設計允許靈活的工藝和熱場設置，上裝載結構可實現便捷的開裝爐及維護操作，同時設備擁有高精度控溫、控壓能力，工藝性能穩定優良。
結構緊湊省空間
用于6/8/12英寸導電和高純半絕緣型SiC晶體生長，多加熱器設計允許靈活的工藝和熱場設置，上裝載結構可實現便捷的開裝爐及維護操作，同時設備擁有高精度控溫、控壓能力，工藝性能穩定優良。
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產品特點
結構緊湊省空間
結構緊湊，可采用并排布局，提高廠房利用率。
雙控模式更節能
加熱控制方式可在功率或者溫度控制二種模式任意選擇。
獨立控制便于條紋
雙加熱器并獨立控制，便于調整溫度梯度。
滿足6/8吋晶體生長
滿足6/8吋半絕緣/導電晶體生長需求。
精準旋轉保溫均
籽晶軸旋轉功能，精度±0.01rpm，便于營造徑向溫度均勻環境，滿足厚晶體生長。
智能算法控精度
設備控制系統采用多種先進算法，控制精度高。
智能化
可根據客戶需求，定制長晶環節自動化生產線。
技術參數
| 型號 | PVT-RS-35(A/D) |
| 尺寸：整機長 x 寬 x 高 | 2600X3000X3800mm |
| 裝料方式 | 上部裝料 |
| 可選配置 | 熱場及基礎工藝包 |
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