結構穩固 一鍵操作
用于12吋半導體級晶體生長
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產品特點
結構穩固
設備結構采用有限元分析設計，安全性更高的同時運行穩定性和重復性極佳。
腔室潔凈
腔室采用316L不銹鋼材料，360°鏡面拋光，潔凈易清理保證高純長晶環境。
控制精確
采用先進的控制算法和視覺算法，有效直徑控制范圍可達目標直徑±0.05mm。
一鍵操作
一鍵長晶級的軟硬件控制邏輯，精準的防護監控預警系統支撐設備持續高效穩定運行。
磁場兼容
軟硬件預留接口均可兼容國內外先進的超導水平磁。憧突Ф嘌拇懦∨涮仔棖。
壓力精準
高精度蝶閥和質量流量計配合主動自清潔尾氣過濾系統，爐室壓力可控范圍更大更精準。
加熱器可調
配備加熱器升降機構，為工藝窗口調整提供更多可能(選配)。
技術參數
| 型號 | KX360MCZ |
| 爐室內徑 | Φ1400mm |
| 副室高度 | 3500-5000mm（可定制） |
| 副室直徑 | Φ400mm |
| 應用領域 | 半導體300mm COP free晶體生產制造 |
| 最大晶體直徑 | 12 英寸 |
| 熱場尺寸 | Min~32inch-Max~36inch |
| 磁場類型 | 標配水平超導磁。淥嘈涂篩菘突б笈涮 |
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