自動(dòng)連續(xù)加料

用于半導(dǎo)體級(jí)晶體生長(zhǎng)

產(chǎn)品特點(diǎn)

自動(dòng)連續(xù)加料

自動(dòng)連續(xù)加料系統(tǒng):連續(xù)給料速率線性可調(diào)，實(shí)時(shí)給料速率波動(dòng)＜±10g/min。

摻雜系數(shù)高

自動(dòng)連續(xù)摻雜系統(tǒng):聯(lián)動(dòng)閉環(huán)控制，動(dòng)態(tài)按比例連續(xù)固體摻雜，有效摻雜系數(shù)較氣象摻雜工藝高2~3倍。

電阻率精準(zhǔn)控制

長(zhǎng)晶工藝:可實(shí)現(xiàn)窄電阻率分布硅晶體的電阻率精準(zhǔn)控制，生長(zhǎng)徑向和軸向電阻均勻分布晶體。

生產(chǎn)優(yōu)勢(shì)

產(chǎn)能提升不依賴于坩堝投料量、爐體、熱場(chǎng)尺寸擴(kuò)大等常規(guī)方式，生產(chǎn)效率高成本低。

自主研發(fā)的配套工藝成果

① 10inch鎵摻雜P型晶體:整根軸向電阻率0.6-0.7ohm.cm，徑向電阻率RRG＜6.0%。
② 8inch磷摻雜N型超低阻晶體:頭部電阻率＜0.001ohm.cm，徑向電阻率RRG＜6%。

整機(jī)尺寸	(LWH)2000X2300X10800mm
加料容量	1000kg 可定制
摻雜系統(tǒng)	高精度連續(xù)在線固體摻雜，控制精度±0.01g
主腔室內(nèi)徑：1400mm 副爐室內(nèi)徑：350mm	兼容 24~34 英寸 RCZ 和 32~34 英寸 CCz 熱。衫10 英寸以下直徑的晶體
加熱方式	電阻加熱，DC 電源 Pmax=150:50kW
裝料方式	主爐室側(cè)向連續(xù)外部加料裝置 (容量 1200kg)+ 動(dòng)態(tài)在線硅料補(bǔ)充裝置 + 石英場(chǎng)內(nèi)預(yù)裝；加料速度可在 20g-600g/min 范圍內(nèi)線性調(diào)控，控制精度 ≤ 500g/ h